光発電素子(LPC、レーザー光発電素子)注目の光ファイバー給電 遠隔地からファイバー経由で送られたレーザー光を電力に変換する素子です。 850nmベースと1400nmベースのものがあります。伝送距離と必要電力で使い分けします。メタルでは給電不能の場所、ノイズ対策、超クリーンな電源が必要な仕様等に最適です。 遠隔通信基地のアンプへの電源供給、メタルでのクリーン電源の供給が難しい場所、劣悪環境下のセンサーへの電源供給等に幅広くご使用されています。本器は偏波依存性がなく、レーザー光源の偏波には影響されません。 Ultra-High Power 915-980nm PPC.pdf へのリンク) |
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VCSELチップ 〜10GbpsまでのVCSELチップをご仕様に合わせインプラ型、酸化狭窄型の中からご仕様に合った最適なものを供給致します。 |
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VCSELアレイ 1x16までのVCSELアレイ。2Dアレイについてもお問い合わせ下さい。 |
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GaAsPIN、InGaAsPINチップ 10GbpsまでのPINチップ。各種仕様あり。 |
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GaAsPIN、InGaAsPINアレイ 1x16までのPINアレイ。2Dアレイについてもお問い合わせ下さい。 |
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各種ROSA 850nmから1620nm、周波数応答は〜10Gbpsまでの各種 お客様のご要望のスタイルを低価格でお答え致します。 |
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各種TOSA 850nmから1620nm、周波数応答は〜10Gbpsまでの各種 お客様のご要望のスタイルを低価格でお答え致します。 |
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各種BOSA 各種規格に合せた780/850、850/980、1310/1550、1310/1480、1550/1610等 如何なるTxとRxのコンビーネションでも製作致します。 RFoG用BOSAも 承ります。 |
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3金属接合太陽電池(InGap/InGaAs/Ge) 光/電力変換率35%以上の超高効率 ご要望によりウェハーから製作致します。 |
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3金属接合太陽電池(InGap/InGaAs/Ge) SMDタイプ 光/電力変換率35%以上の超高効率 SMDの中に配置する電池の大きさ、数はご指定戴けます。 |
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センサー用高出力VCSELチップ 標準出力35mW、驚異的低価格、お客様ご仕様で製作出来ます。 |
IES CORP
各種光デバイス